逆反应是指由生成物到反应物（或由右到左）的反应，在相同条件下同时向正、反两个方向进行的反应称为可逆反应（reversiblereaction)，而在可逆反应中，由反应物到生成物（或由左到右）的反应是正反应，由生成物到反应物（或由右到左）的反应是逆反应。
例如：N2+3H2==（可逆号）2NH3，其中NH3生成N2和H2的反应为逆反应[1] 。
（1）互为逆反应是指在一定条件下，某反应的产物可以反应生成原反应物。
（2）互为可逆反应，则要求逆反应必须是在相同条件下能够发生。
（3）举例：比如点燃氢气、氧气生成水，其逆反应是水电解得到氢气和氧气，但条件不同。
而氮气和氢气在高温高压、有催化剂的情况下生成氨气，在相同条件下生成的氨气又可以分解为氮气和氢气，这就是可逆反应了。
逆反应烧结工艺是在氧化气氛下用常规烧结炉烧制非氧化物复合材料的工艺。工艺的基本要求是：首先控制材料内部形成足够的新生氧化物或氮氧化物，然后再形成牢固的表面膜将其封闭起来进行高温烧结。
氮化硅-碳化硅复合材料制备过程中，Si3N4和SiC都是共价键化合物，一般难以烧结。逆反应烧结是在氧化气氛下由Si3N4氧化为SiO2或Si2N2O烧成的。因为在这种情况下氧化形成的氧化物或亚氧化物是新生态的，非常活泼，且分散于Si3N4和SiC颗粒的间界，它们的熔点低，很容易将难熔的颗粒烧结在一起。当加入少量金属Si后，它不但可起烧结助剂的作用，还可以使氧化产物成为Si2N2O，使材料具有Si2N2O/SiC复合材料的性能，进一步提高其抗侵蚀能力。该工艺的关键在于控制组成、烧结制度和砖坯的制备。由于在氧化气氛下烧制，可以用普通的耐火材料工业炉进行烧制，因此易于推广和降低生产成本[2] 。
在逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料过程，Si3N4/SiC复合材料氧化时，Si3N4将先于SiC氧化，氧化产物可以是SiO2，也可以是Si2N2O，它们都能形成活性烧结。表面氧化膜不论是SiO2或Si2N2O都不会与Si3N4或SiC作用，能保护基体不再氧化。烧结工艺结果表明：最佳的烧结工艺是50℃/h的升温速率，在800℃左右进行4h以上的保温，然后在1450℃再烧结2h，该工艺可以获得较高比强度及密度增加率和适中残氮率的烧结试样[3] 。
相关结论：
（1）用逆反应烧结工艺可以制备出物理性能与金属Si氮化反应烧结的Si3N4/SiC复合材料相当的制品。
（2）逆反应烧结的Si3N4/SiC复合材料的抗冰晶石熔体的能力高于反应烧结制品。原因是基体结构致密，孔隙分布均匀，加之氮化物、氮氧化物与碳化硅对熔体为非润湿性，因此能起到阻止渗透的作用。对于没加iS的试样可以看到熔体析出的细小结晶。说明有一部分融人或参与了侵蚀反应的材料存在。