主要封装形式

双列直插(DIP封装)

扁平封装(PLCC封装)

CMOS集成电路的性能特点

微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。 集成电路核心元

高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。

宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。

高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD,逻辑“0”为VSS。

高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。

高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。

低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。

宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

为什么CMOS电路的直流功耗几近于零?

JEDEC最低工业标准

JEDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围:

电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流输入电流IIN 士10 mA(DC)

输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作温度范围 T -55~125(陶封),-40~85(塑封)℃

存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃

输入/输出信号规则

所有的CMOS电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。

在某些应用场合,输入端要串入电阻,以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

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